近年來，隨著我國國民經濟和科技水平的快速發展，以及受益于全球電子產業鏈過去幾年快速向國內轉移，全球存儲芯片產品需求也快速向國內轉移。數據存儲的需求量不斷增加。目前市場需求量最大的FLASH存儲芯片已處于嚴重缺貨狀態，尤其是8Mb的容量。在業界看來，此輪NAND Flash的缺貨主要在于兩方面的原因：一方面是上游芯片廠持續將產能移轉生產3D NAND，導致2D架構NAND Flash產出量下滑；另一方面是，移動智能設備和網絡數據中心、服務器存儲需求持續快速增長，尤其是智能型手機/平板搭載eMMC和客戶端/服務器用SSD需求翻倍增加，持續消耗大量NAND Flash產能。深究原因，主要是受FLASH芯片的市場需求量影響，廠商們預計的產量遠遠低于市場需求， FLASH芯片緊缺，導致價格上浮。而今天所談到的是存儲器的其中一種，
SRAM（Static Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛，
SRAM主要應用于需要緩存比較小或對功耗有要求的系統。
SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保持數據完整性。SRAM內部采用的是雙穩態電路的形式來存儲數據，所以SRAM的電路結構非常復雜。
今天就是通過對SRAM選型參數的介紹來為產品匹配更好的存儲器
首先是在SRAM的選型上，主要看以下幾個參數
1.存儲器SRAM容量
SRAM 容量是衡量 SRAM存儲數據的能力大小.
1.1常用的單位有：bit(位),Byte(字節). 兩者的換算關系：1Byte=8bit
1.2常用的容量數值簡寫有：K（Kilo）,M(Mega),G(Giga).
它們間的換算:1M=1024K,1G=1024M
容量常用的一般是1Mb、 2Mb、4Mb、8Mb。看設計要求，一般想stm32外擴SRAM有寫用到兩個16Mb，這都是看數據量的需求。
2.電壓(Voltage)
常用的電壓有 1.8V,3.3V,5.0V,有的品牌支持寬電壓范圍如:1.8~3.3V,3.3~5.0V
3.速度（Speed）
3.速度（Speed）
這個參數是衡量 SRAM 產品的反應速度快慢，常用 ns(納秒)及 MHz(兆赫茲)作為單位。
納秒與兆赫茲換算關系是：ns=1/MHz*1000,MHz=1/ns*1000
JSC(EMLSI)的 SRAM 速度一般是 55ns,也是最常用的。其次也有 45ns,和 70ns 的。
我司目前代理的品牌一般都是70ns/55ns/45ns.而大部分的客戶都是選用55ns的比較多，
在速度上55ns基本上夠用，
4. 位寬（Data Bus Width）
此參數表示 SRAM 在瞬間最大的數據吞吐量。數值越大，數據吞吐量就大，單位是 bit
（位）。SRAM 一般分為 8 位寬,和 16 位寬。
5. 待機電流（Standby Current）
表示 SRAM 在待機時的電流值。針對一些客人需要加鋰電池為 SRAM 供電的應用，就比較關注此參數，此參數越小越好。數值越小 SRAM 功耗就越低，鋰電池的供電時間就會越長。常用單位是 uA(微安)。
6. 封裝（Package）
表示 SRAM 產品所采用的封裝外形及尺寸規格。SRAM 常用的封裝有 SOP，TSOP 和 BGA
7.Pin 腳定義（Pin Configuration）
用于確定 SRAM 產品每個 Pin 腳的功能。當我們去取代競爭對手產品時，確認以上參數
相符后，必須再確認 pin 腳的定義是不是也相符。
到了最后這一點基本上已經完成了對SRAM選型，目前我司代理的品牌可以說在品質和價格上不輸給Lyontek,Cypress,ISSI，
