產(chǎn)品描述
 
MR3A16A是一款MRAM非易失性存儲器，位寬為512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，具有無限的耐久性。數(shù)據(jù)在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路可在斷電時(shí)自動(dòng)保護(hù)數(shù)據(jù)，以防止在不符合規(guī)定的電壓情況下進(jìn)行寫操作。對于必須快速永久存儲和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR3A16A是理想的存儲器解決方案。
 
MR3A16A非易失性MRAM提供小尺寸的48引腳球柵陣列（BGA）封裝和54引腳的薄型小外形封裝（TSOP Type 2）。這些封裝與類似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。MR3A16A在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供商業(yè)溫度（0至+70°C）和工業(yè)溫度（-40至+85°C）工作溫度選項(xiàng)。everspin代理英尚微驅(qū)動(dòng)、例程以及必要的FAE支持。
 
引腳封裝
   
MR3A16A特征
•+3.3伏電源
•35 ns的快速讀寫周期
•兼容SRAM的時(shí)序•無限的讀寫耐久性
•溫度下，數(shù)據(jù)始終保持非易失性超過20年
•符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封裝
•所有產(chǎn)品均符合MSL-3濕度敏感度等級
好處
•一個(gè)存儲器替代系統(tǒng)中的FLASH，SRAM，EEPROM和BBSRAM，以實(shí)現(xiàn)更簡單，更有效的設(shè)計(jì)
•通過更換電池供電的SRAM來提高可靠性
 
關(guān)于Everspin
Everspin在磁存儲器設(shè)計(jì)，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。擁有超過600多項(xiàng)有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。英尚微電子作為everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲.沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。
 
MR3A16A型號表

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs) / Tray
8Mb	512Kx16	MR3A16AMA35	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
8Mb	512Kx16	MR3A16AMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
8Mb	512Kx16	MR3A16ACMA35	48-BGA	3.3v	Industrial	2000
8Mb	512Kx16	MR3A16ACMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	2000
8Mb	512Kx16	MR3A16AYS35	54-TSOP2	3.3v	Commercial	216
8Mb	512Kx16	MR3A16AYS35R	54-TSOP2	3.3v	Commercial	216
8Mb	512Kx16	MR3A16ACYS35	54-TSOP2	3.3v	Industrial	216
8Mb	512Kx16	MR3A16ACYS35R	54-TSOP2	3.3v	Industrial	216
8Mb	512Kx16	MR3A16AUYS45	54-TSOP2	3.3v	Automotive	216
8Mb	512Kx16	MR3A16AUYS45R	54-TSOP2	3.3v	Automotive	216

本文關(guān)鍵詞：MR3A16A  everspin

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