XRAM是一種新的存儲器體系結構，旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先進的DRAM技術和自刷新體系結構，顯著提高了存儲器密度，性能并簡化了用戶界面。
 
XM8A51216是星憶存儲科技公司生產的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節）容量的CMOS靜態內存芯片。該國產SRAM芯片具有如下幾個特點：
 
?高速。具有最高訪問速度10/12ns。
?低功耗。
?TTL電平兼容。
?全靜態操作。不需要刷新和時鐘電路。
?三態輸出。
?字節控制功能。支持高/低字節控制。
 
XM8A51216功能框圖
   
圖中A0~18為地址線，總共19根地址線（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15為數據線，總共16根數據線。CEn是芯片使能信號，低電平有效；OEn是輸出使能信號，低電平有效；WEn是寫使能信號，低電平有效；BLEn和BHEn分別是高字節控制和低字節控制信號；


XM8A51216在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲器接口。代理商英尚微電子支持產品相關技術支持及解決方案。
 
要寫入設備，請將芯片使能（CE）和寫使能（WE）輸入設為低電平。如果字節低使能（BLE）為低，則來自I/O引腳（DQ0至DQ7）的數據被寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。如果字節高使能（BHE）為低電平，則來自I/O引腳（DQ8至DQ15）的數據將寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。要從器件讀取，請將芯片使能（CE）和輸出使能（OE）設為低電平，同時將寫入使能（WE）設為高電平。如果字節低使能（BLE）為低，則地址引腳指定的存儲器位置中的數據出現在DQ0至DQ7上。如果字節高使能（BHE）為低，則來自存儲器的數據出現在DQ8到DQ15上。有關讀取和寫入模式的完整說明，請參見第8頁的真值表。
 
取消選擇器件（CE），禁用輸出（OEHIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLEHIGH）或以下操作時，輸入或輸出引腳（DQ0至DQ15）處于高阻抗狀態寫操作（CE和WELOW）。突發模式引腳（MODE）定義突發序列的順序。當置為高電平時，選擇交錯的突發序列。當拉低時，選擇線性突發序列。



本文關鍵詞：SRAM

上一篇文章： 并行SRAM顯示緩存實現方案
 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。