SK海力士公布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，用以滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將修建在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建造，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的建造，總投資額高達達2.2兆韓元（18.4億美金）。 
    SK海力士表示，公司決定另外的新建一座Fab工廠，主要是為了保證能夠滿足NAND Flash存儲芯片市場增長的需求，以及逐步向3D NAND發展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠的時間需要超過2年，所以提前做好準備。 
    SK海力士曾在2015年透露，將來十年內將斥資46兆韓元在利川、清州等地區建設3個新的工廠。本次新工廠建造項目也是公司中長期投資計劃中的一部分，其中還包括在2015年8月竣工的利川M14工廠。本次新工廠建設項目的設備安裝會根據市場情況和公司搬遷方案而定。 
    SK海力士NAND Flash重要生產基地是韓國忠清北道清州市，已分別在2007年新建M11和2012年新建M12工廠，再加上將在2017年新建的工廠，一共有3座NAND Flash工廠。此外，SK海力士還計劃在2017年將在M14二樓生產3D NAND。  同時，SK海力士計劃加大投資力度投資中國無錫DRAM晶圓廠，從2017年7月到2019年4月將總投資9500億韓元（7.9億美元），用以保持生產競爭力。 
     SK海力士無錫工廠自2006開始運營以來，目前生產量已占公司DRAM總產量的一半。但由于生產流程越來越多和科學技術發展，空間不足導致生產效率降低也是無法避免，SK海力士為了彌補晶圓產能可能的損失，決定加碼投資用于無錫工廠內的潔凈室，提高生產力，保證其DRAM生產能力在產業的領先地位。

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