并行MRAM的特性介紹
2018-06-14 14:20:20
MRAM利用電子自旋的磁性提供快速而持久的非易失性存儲器。 MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中，以便將RAM的速度與Flash的非易失性相提并論。總部位于亞利桑那州錢德勒的Everspin擁有并運營著一條生產(chǎn)線，用于其磁性后端晶圓加工，采用鑄造廠生產(chǎn)的標準CMOS晶圓。Everspin Technologies是一家開發(fā)和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器（MRAM）的公共半導體公司，其中包括獨立和嵌入式MRAM產(chǎn)品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM），
Everspin目前的MRAM產(chǎn)品基于180納米和130納米工藝， nm工藝技術節(jié)點和行業(yè)標準封裝。
并行MRAM具有快速、非易失性的SRAM讀寫周期時間。8位MRAM系列容量為256Kb到16Mb，16位MRAM系列容量為1Mb到16Mb，提供符合RoHS規(guī)范的TSOP和BGA兩種封裝。與所有Everspin非易失性RAM一樣，所有器件可無限次讀寫。
并行MRAM特性
. 讀取/寫入周期時間：35ns
. 真正無限次擦除使用
. 業(yè)內最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間----超過20年的非揮發(fā)特性
. 可取代多種存儲器----集閃存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身
. 采用MRAM取代電池供電的SRAM方案，解決了電池組裝、可靠性以及責任方面的問題
. 掉電數(shù)據(jù)自動保護
. 具備商業(yè)級、工業(yè)級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍
. 符合RoHS、兼容SRAM 的TSOPII封裝
. 符合RoHS、兼容SRAM 的BGA封裝（板面積縮小了3倍）
. 16位并行總線接口MRAM
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