MR2A08AMYS35 是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無限制的讀/寫循環(huán)。在每次寫入后，資料能持續(xù)保存超過20年。此外，與其它存儲器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產(chǎn)生的軟錯誤率(SER, soft error rate)。這款4Mb MRAM由位寬為8位的冰塊MRAM芯片。引腳和功能可與異步SRAM兼容。具高可靠性、快速讀/寫、即時開啟、非揮發(fā)性、和無限次擦除等特性，MR2A08AMYS35目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)自動化、機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)儲存、多功能打印機(jī)、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設(shè)計的系統(tǒng)。

 

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關(guān)鍵詞：Everspin

 

相關(guān)文章： 44-TSOP封裝 4Mb容量 MR2A08ACYS35

 

---

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。

英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。