在半導體存儲領域，靜態隨機存儲器（SRAM）作為關鍵存儲器件之一，被廣泛應用于各類需要高速數據存取的場景。SRAM主要分為動態存儲器（DRAM）和靜態存儲器（SRAM）兩大類，其中SRAM以雙穩態觸發器結構存儲數據，無需刷新電路，只要保持供電，數據即可長期保存不丟失。這一特性使SRAM在二級高速緩存、高速暫存器和工業控制系統中具有不可替代的作用。
 

在SRAM中，異步SRAM（Async SRAM）作為一類經典類型，其工作不依賴于系統主時鐘，具備獨立運行能力，尤其適用于對時序要求靈活的老式系統及部分現代工業應用。而快速異步SRAM（Async Fast SRAM）則在此基礎上進一步提升了存取性能，通常指存取時間在35ns以下的產品，具備更高的工作效率，適用于對響應速度有嚴格要求的緩存場景
 

高性能2Mbit Async Fast SRAM—EMI502WF16LM-10C產品亮點

英尚微電子所推出的偉凌創芯系列Async Fast SRAM產品，采用經典雙穩態電路結構設計，無需外部刷新電路，即可實現高速、穩定的數據存儲功能。Async SRAM系列存儲器不僅保留了異步SRAM的兼容性與易用性，還在速度和功耗方面做了進一步優化，特別適用于老式計算機二級高速緩存、嵌入式系統的數據暫存，以及工業設備中的緩沖存儲模塊。
 

異步SRAM EMI502WF16LM-10C作為該系列的代表型號之一，具備2Mbit存儲容量，內部組織為128K×16位結構，支持1.8V低電壓操作，在有效控制功耗的同時，實現高達15ns的快速存取時間。異步Async Fast SRAM工業級工作溫度范圍（0℃至70℃）以及48引腳FBGA封裝，使其非常適合于空間受限、環境復雜的嵌入式與工業應用場景。
 

Async Fast SRAM靜態隨機存儲器EMI502WF16LM-10C參數概覽

①存儲容量：2Mbit

②組織結構：128K×16bit

③工作電壓：1.8V

④存取時間：15ns

⑤工作溫度：0℃~+70℃

⑥封裝形式：48-FBGA
 

Async Fast SRAM靜態隨機存儲器應用場景推薦

憑借其高速響應、結構簡潔與系統兼容性好等優勢，EMI502WF16LM-10C可廣泛用于以下場景：

①傳統PC及嵌入式設備的二級高速緩存（L2 Cache）

②Async Fast SRAM靜態隨機存儲器可用于網絡通信設備中的數據包緩沖

③工業控制系統中用于實時數據采集與緩存

④醫療設備、測試儀器中的高速存儲模塊
 

Async Fast SRAM靜態隨機存儲器作為經典的存儲解決方案，在特定工業與嵌入式系統中依然發揮著重要作用。EMI502WF16LM-10C不僅繼承了異步SRAM的穩定與可靠，還在速度與集成度上實現了良好平衡，為系統工程師提供了一個兼顧性能與成本的高效緩存選擇。如需進一步了解該產品數據手冊、樣品申請或采購信息，歡迎聯系英尚微電子技術支持團隊獲取專業服務。

本文關鍵詞：SRAM,Async Fast SRAM,靜態隨機存儲器
 

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