隨機存儲RAM技術是指具有與易失性RAM相同的隨機訪問特性的存儲技術。MRAM和FRAM可以說是這一類別中最突出的成員。這些技術具有極高的讀/寫速度。與閃存不同，MRAM和FRAM技術不需要電荷泵進行寫入。它轉化為讀取和寫入操作之間的較低且接近對稱的能量消耗。
 
但是，它們的容量范圍不超過幾兆位，并且對于大多數(shù)應用程序來說，它們的每字節(jié)成本高得令人望而卻步。此外，盡管原始訪問速度超過50MByte/s，但隨著其他瓶頸（數(shù)據(jù)生產速度有限、處理能力有限、文件系統(tǒng)開銷）的暴露，凈性能實際上仍會低得多。
 
總體而言，隨機存儲ram技術最適合以絕對性能為關鍵的利基設計。相比之下，SLC NAND（以及QSPI NAND）對于通用應用來說是一種更加平衡的解決方案。

本文關鍵詞：RAM,MRAM,FRAM

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