ISSI IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND是一種高速SRAM芯片，位寬256K x 8。采用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝與創新的電路設計技術相結合，產生了高性能和低功耗的設備。當CE為高電平時，器件進入待機模式下的功耗可以通過CMOS輸入電平降低。通過使用芯片使能和輸出使能輸入、CE和OE可以輕松擴展內存。有效的低寫入使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。同時支持工業和汽車溫度。完全靜態操作,無需時鐘或刷新。IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND采用JEDEC標準44引腳TSOP-II封裝。
 
偉凌創芯國產SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態隨機存取SRAM芯片，使用(8)條公共輸入和輸出線，并具有一個輸出使能引腳，其運行速度快于讀取周期的地址訪問時間。而EMI502NF08VM-10C允許通過數據字節控制(UB,LB)訪問上下字節。快速訪問時間10ns，采用JEDEC標準44引腳TSOP-II封裝。該器件采用先進的CMOS工藝，基于6-TR的單元技術制造，專為高速電路技術而設計。它是特別適用于高密度高速系統應用。此款EMI502NF08VM-10C國產SRAM芯片PIN2PIN替換IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND。代理商英尚微電子支持提供樣品測試及產品技術解決方案。
 
安徽偉凌創芯微電子是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注國產SRAM芯片存儲、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售。公司擁有國際知名設 計專家及工作經驗豐富工程師研發團隊，與國內知名前后道生產合作伙伴緊密合作。深挖客戶應用，依托強大的研發實力，融合世界前沿的技術理念快速響應客戶的變化需求，為行業客戶提供高品質、低成本，供貨持續穩定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。


本文關鍵詞：EMI502NF08VM-10C

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