FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為8,192×8位，可使用行業標準的串行外圍設備接口（SPI）總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM。FM25CL64B-GTR與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區別在于FRAM的優越寫入性能，高耐用性和低功耗。
 
FM25CL64B-GTR是采用高級鐵電工藝的64Kb非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。
 
與串行閃存和EEPROM不同，FM25CL64B-GTR以總線速度執行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數據輪詢。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品具有顯著的寫入耐久性。FM25CL64B-GTR鐵電存儲器能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使FM25CL64B-GTR非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用。例子包括數據收集（可能是關鍵的寫周期數）到要求苛刻的工業控制，在這些情況下，串行閃存或EEPROM的長寫入時間會導致數據丟失。
 
FM25CL64B-GTR為串行EEPROM或閃存的用戶提供了實質性的好處，可以作為硬件的替代產品。FM25CL64B-GTR使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術的高速寫入能力。在–40℃至+85℃的工業溫度范圍內保證器件的規格。
 
耐力
FM25CL64B-GTR器件至少可以被訪問1014次，可以進行讀取或寫入。FRAM存儲器具有讀取和還原機制。因此，對于存儲陣列的每次訪問（讀取或寫入），將按行施加耐久周期。FRAM體系結構基于1K行（每個64位）的行和列的陣列。一次讀取或寫入單個字節還是全部八個字節都將在內部訪問整行。在耐久性計算中，該行中的每個字節僅被計數一次。一個64字節重復循環的耐久性計算，該循環包括一個操作碼，一個起始地址和一個順序的64字節數據流。這導致每個字節在循環中經歷一個耐力周期


本文關鍵詞：鐵電存儲器  

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