對比別的存儲器，納米碳管運行內存(NRAM)是一個近些年出現的新東西，它具備眾多優點：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM的可擴展性和對閃存的超強耐久性的潛力。它比基本上全部新起存儲系統（PCM，MRAM和ReRAM）都更貼近通用性存儲器。他們一般用于更換閃存芯片，因而NRAM在理論上既能夠更換DRAM，還可以更換閃存芯片。2016年富士通和USJC公布，與Nantero企業達成共識受權該企業的NRAM技術性，三方企業自此相互著眼于NRAM運行內存的開發設計與生產制造。
   
NRAM原理大揭秘
 
Nantero公司已經花費了將近20年的時間來研究NRAM，該技術基于排列在交叉點電極之間的薄層中的無規組織的碳納米管的漿料。當施加電壓時，CNT被拉到一起，接觸點數量的增加減少了電極之間的電阻路徑。這種連接是由范德華力在原子級上保持的。為了復位存儲單元，電壓脈沖會引起熱振動來斷開這些連接。
   
所得的存儲器在低能量下提供了20皮秒的切換速度，以及5ns的實際寫入速度，并具有10 ^ 11個周期的耐久性。這保證了基于CNT的NRAM的性能，并且在物理幾何尺寸方面具有更好的可擴展性，從而成為替代DRAM和NAND FLASH的通用存儲器。
 
一個相對較新的技術是在可隨意切換的CNT的隨機組織“墊”上增加一層對齊的CNT。這些用于保護開關納米管的下層免于金屬從上方濺射的金屬遷移。



本文關鍵詞：NRAM

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